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捷捷微高壓MOS管
JMH65R430AE
品牌分類：捷捷微 > MOS管 > 高壓 MOSFET (≥ 400V)
PDF文檔：
JMH65R430AE N管 650V 11.2A 430mΩ TO-263-3L 憑借捷捷微先進(jìn)的溝槽技術(shù)、出色的 RDS(ON) 和低柵極電荷，被廣泛應(yīng)用于LED 驅(qū)動(dòng)器、適配器電源開(kāi)關(guān)、DC/DC 和 AC/DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流 、 電信和工業(yè)中的隔離 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景！?深圳世昌隆電子有限公司循環(huán)備有大量現(xiàn)貨供應(yīng)，歡迎來(lái)函來(lái)電咨詢！
  • 詳情介紹
    • 產(chǎn)品型號(hào)參數(shù)
    型號(hào)JMH65R430AE
    封裝 TO-263-3L
    行業(yè)通用封裝 D2PAK
    溝道 N
    VDS_Max(V) 650
    ID_Max(A) 11.2
    VGS(th)_Typ(V) 3.5
    內(nèi)阻Typ-10V(mΩ) 364
    內(nèi)阻Max-10V(mΩ) 430
    內(nèi)阻Typ-4.5V(mΩ)
    內(nèi)阻Max-4.5V(mΩ)
    內(nèi)阻Typ-2.5V(mΩ)
    內(nèi)阻Max-2.5V(mΩ)
    EAS_Max(mJ) 180
    Ciss_Typ(pF) 703
    Coss_Typ(pF) 25
    Crss_Typ(pF) 2.1
    Qg_Typ(nC) 18.4
    ESD No
    FOM 6697.6
    替代友商型號(hào)
    備注Active
    詳情介紹

    JMH65R430AE  N管  650V  11.2A  430mΩ   TO-263-3L     憑借捷捷微先進(jìn)的溝槽技術(shù)、出色的 RDS(ON) 和低柵極電荷，被廣泛應(yīng)用于LED 驅(qū)動(dòng)器、適配器電源開(kāi)關(guān)、DC/DC 和 AC/DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流 、 電信和工業(yè)中的隔離 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景！

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