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IGBT也是有三個引腳的器件，三個引腳分別是：柵極G，集電極C和發(fā)射極E。IGBT 可以看作 BJT 和 MOS 管的融合體，IGBT具有 MOS 的輸入特性和BJT 管的輸出特性。與 BJT 或 MOS管相比， IGBT 的優(yōu)勢在于它提供了比標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管更大的功率增益，以及更高的工作電壓和更低的 MOS 管輸入損耗。IGBT 主要用于放大器，用于通過脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 切換/處理復(fù)雜的波形。

IGBT本質(zhì)上就是一個電子開關(guān)，當(dāng)我們給G極高電平，它就導(dǎo)通了，相當(dāng)于開關(guān)閉合；當(dāng)我們給G極低電平，它就會截止，相當(dāng)于開關(guān)斷開?？吹紾極，C極，E極大家是不是感到非常熟悉？是的，G極，即是MOS管的柵極G極；C極和E極分別是三極管的集電極C極和發(fā)射極E極，因為IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)是結(jié)合了MOS管的低驅(qū)動電流特性，三極管低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)勢，MOS管是電場驅(qū)動器件，當(dāng)MOS管導(dǎo)通時，它的G極、S極幾乎相當(dāng)于斷路，電流極小，所以說MOS管的驅(qū)動電流低；三極管飽和導(dǎo)通時，它的C極、E極電阻很小，所以說三極管的導(dǎo)通電阻低，所以IGBT的等效電路符號是集MOS管和三極管兩者于一身，當(dāng)我們給G極低電平時，IGBT就截止，當(dāng)給G極高電平時，MOS管先導(dǎo)通，然后三極管的C極、E極形成了電流，所以IGBT就導(dǎo)通了，這個就是IGBT的工作原理。

IGBT 是電壓控制器件，因此它只需要一個很小的電壓到柵極即可保持導(dǎo)通狀態(tài)。由于是單向器件， IGBT 只能在從集電極到發(fā)射極的正向切換電流。IGBT的典型開關(guān)電路如下所示，柵極電壓 VG施加到柵極引腳以從電源電壓 V+ 切換電機 (M)。電阻 Rs 大致用于限制通過電機的電流。

●  導(dǎo)通時間（ t on）：通常由延遲時間 (t dn ) 和上升時間 (t r ) 兩部分組成。

●  延遲時間（t dn )：定義為集電極電流從漏電流 ICE上升到 0.1 IC（最終集電極電流）和集電極發(fā)射極電壓從 VCE下降到 0.9VCE的時間。

●  上升時間（ r )：定義為集電極電流從 0.1 IC上升到 IC以及集電極-發(fā)射極電壓從 0.9V CE下降到 0.1 VCE的時間。

●  關(guān)斷時間（ t off）：由三個部分組成，延遲時間 (t df )、初始下降時間 (t f1 ) 和最終下降時間 (t f2 )。

●  延遲時間（t df )：定義為集電極電流從 IC下降到 0.9 IC并且 V CE開始上升的時間。

●  初始下降時間（t f1 )：是集電極電流從 0.9 I C下降到 0.2 IC并且集電極發(fā)射極電壓上升到 0.1 VCE的時間。

●  最終下降時間（t f2 )：定義為集電極電流從 0.2 I C下降到 0.1 IC并且 0.1V CE上升到最終值 VCE的時間。