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1. 構(gòu)造

N溝道MOS管是由P型基底N型溝道和N型源漏極組成。而P溝道MOS管是由N型基底P型溝道和P型源漏極組成。因此它們在構(gòu)造上剛好相反。

2. 導(dǎo)電性

N溝道MOS管中溝道區(qū)為N型，因此在電子數(shù)量上優(yōu)于空穴，導(dǎo)電性更好。P溝道MOS管中溝道區(qū)為P型，因此空穴為主導(dǎo)電子，導(dǎo)電性比N溝道MOS管更差。

3. 閾值電壓

N溝道MOS管中閾值電壓一般為負(fù)值，即需要在溝道區(qū)加負(fù)電壓才能控制導(dǎo)通。而P溝道MOS管中的閾值電壓通常為正值，需要在溝道區(qū)加正電壓才能控制導(dǎo)通。

4. 開關(guān)速度

在相同的尺寸和工藝條件下，N溝道MOS管因?yàn)閷?dǎo)通電子構(gòu)成更多，開關(guān)速度一般比P溝道MOS管更快。

5. 噪音

由于N溝道MOS管的導(dǎo)電性能更好，所以在同樣的工藝下N溝道MOS管的噪聲性能一般優(yōu)于P溝道MOS管。