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1、 雪崩破壞

如果在漏極-源極之間外加超出器件額定VDSS的浪涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V（BR）DSS(根據(jù)擊穿電流其值不同)并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象，在介質(zhì)負(fù)載的開(kāi)關(guān)運(yùn)行斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓，并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式，會(huì)引起雪崩。

2、 器件發(fā)熱損壞

由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的，發(fā)熱的原因，分為直流功率和瞬態(tài)功率兩種。直流功率原因：外加直流功率而導(dǎo)致的損耗引起的發(fā)熱；瞬態(tài)功率原因：外加單觸發(fā)脈沖負(fù)載短路開(kāi)關(guān)損耗（接通，斷開(kāi)）內(nèi)置二極管的TRR損耗（上下橋臂短路損耗與溫度和工作頻率是相關(guān)的），器件正常運(yùn)行時(shí)不發(fā)生的負(fù)載短路等，引起的過(guò)電流造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致破壞。另外由于熱量不相配或開(kāi)關(guān)頻率太高，使芯片不能正常散熱時(shí)，持續(xù)的發(fā)熱，使溫度超出溝道溫度導(dǎo)致熱擊穿的破壞。

3、 內(nèi)置二極管破壞

在DS端間構(gòu)成的寄生二極管運(yùn)行時(shí)，由于在Fly back時(shí),功率MOSFET的寄生雙極晶體管運(yùn)行，導(dǎo)致此二極管破壞的模式。

4、 由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞

此破壞方式在并聯(lián)時(shí)尤其容易發(fā)生，在并聯(lián)功率MOS管時(shí)未插入柵極電阻，而直接連接時(shí)發(fā)生的柵極寄生振蕩，高速反復(fù)接通、斷開(kāi)漏極-源極電壓時(shí)，在柵極-漏極電容Cgd和柵極引腳電感Lg形成的諧振電路上發(fā)生此寄生振蕩，產(chǎn)生破壞。

5、 柵極電涌、靜電破壞

主要原因在柵極和源極之間，如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞，即柵極過(guò)電壓破壞和由上電狀態(tài)中，靜電在GS兩端，而導(dǎo)致的柵極破壞。

總之，了解MOS管損壞的原因，有助于在設(shè)計(jì)電路、使用和維護(hù)電子設(shè)備時(shí)采取相應(yīng)的措施，延長(zhǎng)MOS管的使用壽命，提高電路的可靠性。