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這是因?yàn)樵趯?shí)際應(yīng)用中，電源可能會(huì)受到各種因素的影響而產(chǎn)生電壓波動(dòng)，因此需要為MOS管留出足夠的耐壓余量。

以220V交流供電設(shè)備為例，其工作電壓為220V（有效值），考慮到電壓波動(dòng)和峰值電壓（約為有效值的1.414倍），MOS管的耐壓值應(yīng)大于220V×1.414×1.2≈373.3V,然而在實(shí)際設(shè)計(jì)中，通常會(huì)選擇更高耐壓值的MOS管，以確保安全。

你知道Vds和Vgs的區(qū)別嗎？

在 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）中，Vds和Vgs之間的關(guān)系是理解 MOSFET 工作特性的關(guān)鍵。

那要如何區(qū)分它們呢？

Vds：是指施加在 MOSFET 漏極和源極之間的電壓。它反映了 MOSFET 內(nèi)部的電場(chǎng)分布和電流流動(dòng)情況。

Vgs：這是指施加在 MOSFET 刪極和源極之間的電壓。它決定了 MOSFET 的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)。對(duì)于 NMOS 而言，當(dāng) Vgs 大于閾值電壓 Vth 時(shí)，MOSFET 導(dǎo)通；而對(duì)于 PMOS，情況則相反，當(dāng) Vgs 小于 Vth 時(shí)導(dǎo)通。