型號 | JCT1255T |
封裝 | TG-C |
電流(A) | 55 |
浪涌電流(A) | 700 |
斷態(tài)峰值電壓(V) | 1200 |
觸發(fā)電流mA) | 50 |
結(jié)溫(°C) | 125 |
替代友商型號 | |
備注 | Not for New Design |
JCT1255T 標(biāo)準(zhǔn)型單向可控硅 IT(RMS):55A VDRM/VRRM:1200V IGT:50mA TG-C 標(biāo)準(zhǔn)型單向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強(qiáng);耐電流沖擊能力強(qiáng);較好的用于摩托車、固態(tài)繼電器、充電器、電動工具等領(lǐng)域!
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