型號(hào) | JST30E-1200BW |
封裝 | TO-263 |
電流(A) | 30 |
浪涌電流(A) | 300 |
斷態(tài)峰值電壓(V) | 1200 |
觸發(fā)電流I(mA) | 50 |
觸發(fā)電流II(mA) | 50 |
觸發(fā)電流III(mA) | 50 |
觸發(fā)電流IV(mA) | |
結(jié)溫(°C) | 125 |
替代友商型號(hào) | |
備注 | Not for New Design |
JST30E-1200BW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):30A VDRM/VRRM:1200V IGT:50/50/50mA TO-263 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強(qiáng);可以承受較大電流的沖擊,被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場景!
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