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捷捷微可控硅
JST80T-1200BW
品牌分類：捷捷微 > 可控硅 > 雙向可控硅 > 三象限雙向可控硅
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JST80T-1200BW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):80A VDRM/VRRM:1200V IGT:50/50/50mA TG-C 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場景！
  • 詳情介紹
    • 產(chǎn)品型號參數(shù)
    型號JST80T-1200BW
    封裝 TG-C
    電流(A) 80
    浪涌電流(A) 800
    斷態(tài)峰值電壓(V) 1200
    觸發(fā)電流I(mA) 50
    觸發(fā)電流II(mA) 50
    觸發(fā)電流III(mA) 50
    觸發(fā)電流IV(mA)
    結(jié)溫(°C) 125
    替代友商型號
    備注Not for New Design
    詳情介紹

    JST80T-1200BW   三象限雙向可控硅 IT(RMS):80A   VDRM/VRRM:1200V   IGT:50/50/50mA   TG-C  三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場景！

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