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捷捷微可控硅
JST136C-800E
品牌分類：捷捷微 > 可控硅 > 雙向可控硅 > 四象限雙向可控硅
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JST136C-800E 四象限雙向可控硅 IT(RMS):4A VDRM/VRRM: 800V IGT:10/10/10/25mA TO-220C四象限雙向可控硅擁有低的擎住電流和維持電流，較好的用于電阻型中功率、小功率負(fù)載！可替代下記友商型號：1、BT234-800E(瑞能-WeEn)；
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    • 產(chǎn)品型號參數(shù)
    型號JST136C-800E
    封裝 TO-220C
    電流(A) 4
    浪涌電流(A) 35
    斷態(tài)峰值電壓(V) 800
    觸發(fā)電流I(mA) 10
    觸發(fā)電流II(mA) 10
    觸發(fā)電流III(mA) 10
    觸發(fā)電流IV(mA) 25
    結(jié)溫(°C) 125
    替代友商型號 BT234-800E
    備注Preferred
    詳情介紹

    JST136C-800E 四象限雙向可控硅 IT(RMS):4A  VDRM/VRRM: 800V  IGT:10/10/10/25mA  TO-220C四象限雙向可控硅擁有低的擎住電流和維持電流，較好的用于電阻型中功率、小功率負(fù)載！


    可替代下記友商型號：

    1、BT234-800E(瑞能-WeEn)；

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