型號 | JMTG110N06D |
封裝 | PDFN5x6-8L-D |
行業(yè)通用封裝 | |
溝道 | N+N |
VDS_Max(V) | 60 |
ID_Max(A) | 33 |
VGS(th)_Typ(V) | 3 |
內(nèi)阻Typ-10V(mΩ) | 9.8 |
內(nèi)阻Max-10V(mΩ) | 12.8 |
內(nèi)阻Typ-4.5V(mΩ) | |
內(nèi)阻Max-4.5V(mΩ) | |
內(nèi)阻Typ-2.5V(mΩ) | |
內(nèi)阻Max-2.5V(mΩ) | |
EAS_Max(mJ) | 89 |
Ciss_Typ(pF) | 2096 |
Coss_Typ(pF) | 160 |
Crss_Typ(pF) | 143 |
Qg_Typ(nC) | 49 |
ESD | No |
FOM | 480 |
替代友商型號 | |
備注 |
JMTG110N06D 捷捷微N+NMOS 60V 33A 12.8mΩ PDFN5x6-8L-D封裝 憑借捷捷微先進(jìn)的溝槽技術(shù)、出色的 RDS(ON) 和低柵極電荷,被廣泛應(yīng)用于電機控制和驅(qū)動、電池管理、UPS(不間斷電源)等場景!
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